창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB150N10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB150N10 | |
PCN 설계/사양 | SOA curve 01/Jul/2013 Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 49A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4760pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB150N10TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB150N10 | |
관련 링크 | FDB15, FDB150N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ASGTX-D-120.000MHZ-1-T | 120MHz LVDS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 40mA | ASGTX-D-120.000MHZ-1-T.pdf | |
![]() | E3FB-VN21 | BRASSM18, FF, 50MM,AX,NPN,CONN | E3FB-VN21.pdf | |
![]() | GRM55DR72A105KA01K | GRM55DR72A105KA01K MURATA 2220 | GRM55DR72A105KA01K.pdf | |
![]() | A1J5 | A1J5 ORIGINAL BGA | A1J5.pdf | |
![]() | 74ACT86MTR | 74ACT86MTR ST SMD or Through Hole | 74ACT86MTR.pdf | |
![]() | ACPLW314-500E | ACPLW314-500E AVAGO SMD or Through Hole | ACPLW314-500E.pdf | |
![]() | IRL540NL/L | IRL540NL/L IR G | IRL540NL/L.pdf | |
![]() | LOM670-J1 | LOM670-J1 OSRAM SMD | LOM670-J1.pdf | |
![]() | KM6161000BLT-70 | KM6161000BLT-70 SEC TSOP | KM6161000BLT-70.pdf | |
![]() | NQ83C91 | NQ83C91 SEEQ PLCC28 | NQ83C91.pdf | |
![]() | MAX1013MJ8 | MAX1013MJ8 MAXIM DIP-8 | MAX1013MJ8.pdf | |
![]() | MM3Z11VTI | MM3Z11VTI ON SMD or Through Hole | MM3Z11VTI.pdf |