Fairchild Semiconductor FDB120N10

FDB120N10
제조업체 부품 번호
FDB120N10
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
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FDB120N10 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDB120N10
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDB120N10
PCN 설계/사양SOA curve 01/Jul/2013
Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C74A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs12m옴 @ 74A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs86nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5605pF @ 25V
전력 - 최대170W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D²PAK
표준 포장 800
다른 이름FDB120N10TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDB120N10
관련 링크FDB12, FDB120N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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