창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB075N15A_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB075N15A_F085 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5595pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 333W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB075N15A_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB075N15A_F085 | |
관련 링크 | FDB075N15, FDB075N15A_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TB-1.8432MDE-T | 1.8432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TB-1.8432MDE-T.pdf | |
![]() | SIT8918AE-71-33E-8.000000D | OSC XO 3.3V 8MHZ OE | SIT8918AE-71-33E-8.000000D.pdf | |
![]() | CV201210-6R8K | 6.8µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | CV201210-6R8K.pdf | |
![]() | RC1608F4222CS | RES SMD 42.2K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F4222CS.pdf | |
![]() | PLT0603Z2101LBTS | RES SMD 2.1KOHM 0.01% 0.15W 0603 | PLT0603Z2101LBTS.pdf | |
![]() | MSM6585MAZ | MSM6585MAZ OKI SMD or Through Hole | MSM6585MAZ.pdf | |
![]() | C0603NPO50V 56PF + | C0603NPO50V 56PF + PHYCOMP SMD or Through Hole | C0603NPO50V 56PF +.pdf | |
![]() | MB91F313PMC-GE1 | MB91F313PMC-GE1 FUJITSU QFP | MB91F313PMC-GE1.pdf | |
![]() | D1FL20UR | D1FL20UR Shindengen/ DO-214 SMA | D1FL20UR.pdf | |
![]() | HG106A-F | HG106A-F ASAHI SOT343 | HG106A-F.pdf | |
![]() | 2N2789S | 2N2789S MOT CAN3 | 2N2789S.pdf | |
![]() | GRM42-6X7R474K25U 47 | GRM42-6X7R474K25U 47 muRata 1206 | GRM42-6X7R474K25U 47.pdf |