창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB045AN08A0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB045AN08A0 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 138nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB045AN08A0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB045AN08A0 | |
관련 링크 | FDB045A, FDB045AN08A0 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F27013AKT | 27MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013AKT.pdf | |
RSMF3JT1K80 | RES METAL OX 3W 1.8K OHM 5% AXL | RSMF3JT1K80.pdf | ||
![]() | CMF501M0000FHEA | RES 1M OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF501M0000FHEA.pdf | |
![]() | 6.3ML56M5X5 | 6.3ML56M5X5 RUBYCON SMD or Through Hole | 6.3ML56M5X5.pdf | |
![]() | 833H-1C-F-C-DC12V | 833H-1C-F-C-DC12V SONGCHUANG DIP | 833H-1C-F-C-DC12V.pdf | |
![]() | Q62702A1341 | Q62702A1341 INFINEON 6SOT23 | Q62702A1341.pdf | |
![]() | LM1117MPX-ADJ/N03A | LM1117MPX-ADJ/N03A NS SOT-223 | LM1117MPX-ADJ/N03A.pdf | |
![]() | PC817* | PC817* COSMO DIP | PC817*.pdf | |
![]() | 109266-HMC550 | 109266-HMC550 HITTITE SMD or Through Hole | 109266-HMC550.pdf | |
![]() | CD4696 | CD4696 MICROSEMI SMD | CD4696.pdf | |
![]() | MSM6654A-522RS | MSM6654A-522RS OKI DIP18 | MSM6654A-522RS.pdf |