Fairchild Semiconductor FDB0260N1007L

FDB0260N1007L
제조업체 부품 번호
FDB0260N1007L
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-FDB0260N1007L
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDB0260N1007L Datasheet
애플리케이션 노트Introduction to Power MOSFETs
MOSFET Basics
PowerTrench MOSFET Datasheet Expanation
FRFET in Synchronous Rectification
AN-9005 Application Note
Power MOSFET Avalanche Guideline
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보FDB0260N1007L Material Declaration
FDB0260N1007L Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.6m옴 @ 27A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs118nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds8545pF @ 50V
전력 - 최대3.8W
작동 온도*
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB
공급 장치 패키지D2PAK(7-Lead)
표준 포장 800
다른 이름FDB0260N1007LTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDB0260N1007L
관련 링크FDB0260, FDB0260N1007L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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