창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB024N08BL7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB024N08BL7 | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 178nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13530pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 246W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB024N08BL7TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB024N08BL7 | |
| 관련 링크 | FDB024N, FDB024N08BL7 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | IHLP4040DZER1R0M01 | 1µH Shielded Molded Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard | IHLP4040DZER1R0M01.pdf | |
|  | PTZTE25-16B | PTZTE25-16B ROHM SOP | PTZTE25-16B.pdf | |
|  | PQ20VZ51U | PQ20VZ51U SHARP to252 | PQ20VZ51U.pdf | |
|  | AIT715G/BN1-G | AIT715G/BN1-G AIT BGA | AIT715G/BN1-G.pdf | |
|  | CBH0805-220-40 | CBH0805-220-40 ORIGINAL SMD or Through Hole | CBH0805-220-40.pdf | |
|  | SS12JPTA | SS12JPTA ORIGINAL SMD or Through Hole | SS12JPTA.pdf | |
|  | NQ12025VMA16PRN | NQ12025VMA16PRN SYNQOR ORIGINAL | NQ12025VMA16PRN.pdf | |
|  | MM3420 | MM3420 M TSSOP | MM3420.pdf | |
|  | EMB11N | EMB11N ROHM SOT463 | EMB11N.pdf | |
|  | SHS1208-271K-R | SHS1208-271K-R ORIGINAL ORIGINAL | SHS1208-271K-R.pdf | |
|  | OF4342(9340 4221 0215) | OF4342(9340 4221 0215) PHI SOT-23 | OF4342(9340 4221 0215).pdf | |
|  | M30855FHGPU5 | M30855FHGPU5 renesas SMD or Through Hole | M30855FHGPU5.pdf |