창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB024N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB024N06 | |
PCN 설계/사양 | SOA curve 01/Jul/2013 Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 226nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14885pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 395W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB024N06TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB024N06 | |
관련 링크 | FDB02, FDB024N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | EL5481CS | EL5481CS EL SOP-16 | EL5481CS.pdf | |
![]() | LT3021CS | LT3021CS ORIGINAL SMD8 | LT3021CS.pdf | |
![]() | 1812-82P/3000v | 1812-82P/3000v novacap SMD | 1812-82P/3000v.pdf | |
![]() | 74AHCT594DB.118 | 74AHCT594DB.118 NXP SSOP16 | 74AHCT594DB.118.pdf | |
![]() | 1N1358A | 1N1358A MSC SMD or Through Hole | 1N1358A.pdf | |
![]() | S3B301 | S3B301 UNK UNK | S3B301.pdf | |
![]() | TN-N416 | TN-N416 ORIGINAL SMD | TN-N416.pdf | |
![]() | 7MBR35SB120H-70 | 7MBR35SB120H-70 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR35SB120H-70.pdf | |
![]() | KDR331V-RTK | KDR331V-RTK KEC 11PBF | KDR331V-RTK.pdf | |
![]() | R0103AA | R0103AA ORIGINAL TO-92 | R0103AA.pdf | |
![]() | STR16S09P | STR16S09P IR SMD or Through Hole | STR16S09P.pdf | |
![]() | 74AVCH16245DGG,112 | 74AVCH16245DGG,112 NXP SMD or Through Hole | 74AVCH16245DGG,112.pdf |