창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB024N04AL7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB024N04AL7 | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 109nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB024N04AL7-ND FDB024N04AL7TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB024N04AL7 | |
| 관련 링크 | FDB024N, FDB024N04AL7 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C100JB61PNC | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C100JB61PNC.pdf | |
![]() | RC0100FR-07316KL | RES SMD 316K OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-07316KL.pdf | |
![]() | RCP2512B68R0GS6 | RES SMD 68 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B68R0GS6.pdf | |
![]() | FF12-29A-R11BL | FF12-29A-R11BL DDK SMD or Through Hole | FF12-29A-R11BL.pdf | |
![]() | CA747CN | CA747CN HARRIS DIP | CA747CN.pdf | |
![]() | NJM2173AVTE2 | NJM2173AVTE2 JRC SOP | NJM2173AVTE2.pdf | |
![]() | SBG250AA80 | SBG250AA80 ORIGINAL SMD or Through Hole | SBG250AA80.pdf | |
![]() | CXD3816GB | CXD3816GB SONY BGA | CXD3816GB.pdf | |
![]() | CY7C243-25WMB | CY7C243-25WMB CY DIP | CY7C243-25WMB.pdf | |
![]() | DJCN | DJCN ON 6 SOT23 | DJCN.pdf | |
![]() | PC817C(X3N)/PC817A | PC817C(X3N)/PC817A SHARP DIP4 | PC817C(X3N)/PC817A.pdf |