창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDA70N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDA70N20 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3970pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 417W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDA70N20 | |
관련 링크 | FDA7, FDA70N20 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT9121AI-2D2-25E100.000000Y | OSC XO 2.5V 100MHZ | SIT9121AI-2D2-25E100.000000Y.pdf | |
![]() | RMCF0805FT30R1 | RES SMD 30.1 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT30R1.pdf | |
![]() | CKG57KX5R2E105MT000N | CKG57KX5R2E105MT000N TDK SMD | CKG57KX5R2E105MT000N.pdf | |
![]() | KCU20A40 | KCU20A40 NIEC TO-3P | KCU20A40.pdf | |
![]() | MAX441CPP | MAX441CPP MAXIM SMD or Through Hole | MAX441CPP.pdf | |
![]() | 2.2UF/630V | 2.2UF/630V CDE SMD or Through Hole | 2.2UF/630V.pdf | |
![]() | IRG4CC10KB | IRG4CC10KB IR SMD or Through Hole | IRG4CC10KB.pdf | |
![]() | MAX705EPA+ | MAX705EPA+ MAXIM DIP8 | MAX705EPA+.pdf | |
![]() | MB40C360MPFV-G-BND-ER | MB40C360MPFV-G-BND-ER FUJITSU SSOP | MB40C360MPFV-G-BND-ER.pdf | |
![]() | TPS2231RHLT | TPS2231RHLT TI-BB QFN20 | TPS2231RHLT.pdf | |
![]() | MG80S2YK1 | MG80S2YK1 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG80S2YK1.pdf |