창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDA69N25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDA69N25 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 69A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 34.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDA69N25 | |
| 관련 링크 | FDA6, FDA69N25 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ZMY36-GS18 | DIODE ZENER 36V 1W DO213AB | ZMY36-GS18.pdf | |
![]() | 74LS244BI | 74LS244BI ST DIP | 74LS244BI.pdf | |
![]() | IM01 | IM01 ORIGINAL DIPSOP | IM01.pdf | |
![]() | 470UF35V 10*17 | 470UF35V 10*17 JWCO SMD or Through Hole | 470UF35V 10*17.pdf | |
![]() | 1SS337Phone:82766440A | 1SS337Phone:82766440A TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS337Phone:82766440A.pdf | |
![]() | CEN4600 | CEN4600 CET SO-8 | CEN4600.pdf | |
![]() | KSDK-MCF52233-PLUS | KSDK-MCF52233-PLUS IARSystems SMD or Through Hole | KSDK-MCF52233-PLUS.pdf | |
![]() | BBMD914LT1 | BBMD914LT1 ON SOT23 | BBMD914LT1.pdf | |
![]() | HFA3860BIN | HFA3860BIN HARRIS QFP | HFA3860BIN.pdf | |
![]() | CN2A2TE391J | CN2A2TE391J ORIGINAL SMD or Through Hole | CN2A2TE391J.pdf | |
![]() | 1-962137-1 | 1-962137-1 Tyco con | 1-962137-1.pdf |