창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDA38N30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDA38N30 | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDA38N30 | |
관련 링크 | FDA3, FDA38N30 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | EGF1CHE3/5CA | DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | EGF1CHE3/5CA.pdf | |
![]() | PHP00603E1431BST1 | RES SMD 1.43K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1431BST1.pdf | |
![]() | ESMH500VSN682MR35S | ESMH500VSN682MR35S NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ESMH500VSN682MR35S.pdf | |
![]() | SC29413VH | SC29413VH ORIGINAL BGA | SC29413VH.pdf | |
![]() | 681KD20J | 681KD20J RUILON DIP | 681KD20J.pdf | |
![]() | BKO-C2165 | BKO-C2165 KOHSHIN SMD or Through Hole | BKO-C2165.pdf | |
![]() | sd2a476k1012mbb | sd2a476k1012mbb samwha SMD or Through Hole | sd2a476k1012mbb.pdf | |
![]() | VB0045-7.1 | VB0045-7.1 MOT QFP | VB0045-7.1.pdf | |
![]() | 67-21/L2C-W4556WLX/B22/2T | 67-21/L2C-W4556WLX/B22/2T ORIGINAL SMD or Through Hole | 67-21/L2C-W4556WLX/B22/2T.pdf |