창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDA38N30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDA38N30 | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDA38N30 | |
관련 링크 | FDA3, FDA38N30 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | VJ1812A152JBGAT4X | 1500pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A152JBGAT4X.pdf | |
![]() | 1N6145AUS | TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC SQMELF | 1N6145AUS.pdf | |
![]() | 6.3YXF2200M12.5X20 | 6.3YXF2200M12.5X20 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6.3YXF2200M12.5X20.pdf | |
![]() | 2N4010 | 2N4010 MOT CAN | 2N4010.pdf | |
![]() | SD103AW=5819 | SD103AW=5819 ORIGINAL SOD123 | SD103AW=5819.pdf | |
![]() | G60-D15 | G60-D15 ORIGINAL SMD or Through Hole | G60-D15.pdf | |
![]() | Q346218026 | Q346218026 OKI SOP | Q346218026.pdf | |
![]() | TX1088NL | TX1088NL PULSE SOP-16 | TX1088NL.pdf | |
![]() | P22220 | P22220 SPTN SMD or Through Hole | P22220.pdf | |
![]() | SAFSE1G96KCOTO4R13 | SAFSE1G96KCOTO4R13 MURATA 2520 | SAFSE1G96KCOTO4R13.pdf | |
![]() | D82555GC-104 | D82555GC-104 NEC QFP | D82555GC-104.pdf |