홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » FCU3400N80Z

Fairchild Semiconductor FCU3400N80Z

FCU3400N80Z
제조업체 부품 번호
FCU3400N80Z
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
FCU3400N80Z 가격 및 조달

가능 수량

10306 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 555.98400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FCU3400N80Z 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FCU3400N80Z 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FCU3400N80Z가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FCU3400N80Z 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FCU3400N80Z 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FCU3400N80Z
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FCD3400N80Z, FCU3400N80Z
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열SuperFET® II
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.4옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 200µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds400pF @ 100V
전력 - 최대32W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지IPAK(TO-251)
표준 포장 75
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FCU3400N80Z
관련 링크FCU340, FCU3400N80Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FCU3400N80Z 의 관련 제품
3.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D3R3DXCAP.pdf
RES SMD 41.2KOHM 0.25% 1/8W 0805 RT0805CRD0741K2L.pdf
CX28398-23P CONEXANT BGA CX28398-23P.pdf
1812 6.8K F TASUND SMD or Through Hole 1812 6.8K F.pdf
5749769-1 TYCO Conn 5749769-1.pdf
V110C15C100BL VICOR SMD or Through Hole V110C15C100BL.pdf
DF19G-20S/PR-MD2 Hirose SMD or Through Hole DF19G-20S/PR-MD2.pdf
DNG14-187FB-L PDT SMD or Through Hole DNG14-187FB-L.pdf
UPC3232T ON TO3P UPC3232T.pdf
U631H64DK25G1 ZMD DIP-28 U631H64DK25G1.pdf
SY89228UMG MICREL SMD or Through Hole SY89228UMG.pdf
TEMSVC1E106M12R NEC C TEMSVC1E106M12R.pdf