창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCPF650N80Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCPF650N80Z | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
PCN 설계/사양 | Multiple Updates 10/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 800µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1565pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 30.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCPF650N80Z | |
관련 링크 | FCPF65, FCPF650N80Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0603D470MXBAC | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D470MXBAC.pdf | ||
ELL-6RH1R0M | 1µH Shielded Wirewound Inductor 3A 19 mOhm Nonstandard | ELL-6RH1R0M.pdf | ||
CMF70499K00FKRE | RES 499K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF70499K00FKRE.pdf | ||
CTCDRH2D18F-100N | CTCDRH2D18F-100N CentralTech SMD or Through Hole | CTCDRH2D18F-100N.pdf | ||
SM11051JIS-PT | SM11051JIS-PT NPC SOP8 | SM11051JIS-PT.pdf | ||
IMP812 | IMP812 ORIGINAL SOT143-4 | IMP812.pdf | ||
IS487E | IS487E SHARP DIP-3 | IS487E.pdf | ||
MC33887VWR2 | MC33887VWR2 FREESCALE SMD or Through Hole | MC33887VWR2.pdf | ||
216MPS3AGA21H (9100IGP)-(RS300M) | 216MPS3AGA21H (9100IGP)-(RS300M) ORIGINAL BGA | 216MPS3AGA21H (9100IGP)-(RS300M).pdf | ||
AM-320240N1TMQW-W0H/R | AM-320240N1TMQW-W0H/R AMPIRE SMD or Through Hole | AM-320240N1TMQW-W0H/R.pdf | ||
HCPL357 | HCPL357 AVAGO SOP4 | HCPL357.pdf | ||
CPT-230S-X-TU | CPT-230S-X-TU CITIZEN SMD | CPT-230S-X-TU.pdf |