창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF260N60E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP260N60E, FCPF260N60E | |
| 주요제품 | SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs Cloud Systems Computing High-Voltage MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET® II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF260N60E | |
| 관련 링크 | FCPF26, FCPF260N60E 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | DSC1001CI2-001.8432T | 1.8432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CI2-001.8432T.pdf | |
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![]() | EKMQ3B1VSN471MQ45S | EKMQ3B1VSN471MQ45S Chemi-con NA | EKMQ3B1VSN471MQ45S.pdf | |
![]() | TS170R1H010C8BNB0R | TS170R1H010C8BNB0R SUNTAN SMD | TS170R1H010C8BNB0R.pdf | |
![]() | W3A41A680JAT1A | W3A41A680JAT1A AVX SMD | W3A41A680JAT1A.pdf | |
![]() | ELSF-406SYGWA/S530-E2 | ELSF-406SYGWA/S530-E2 EVERLIGHT PB-FREE | ELSF-406SYGWA/S530-E2.pdf | |
![]() | MOCD211R2M-FAIRCHILD | MOCD211R2M-FAIRCHILD ORIGINAL SMD or Through Hole | MOCD211R2M-FAIRCHILD.pdf | |
![]() | A9S18008 | A9S18008 OTHER SMD or Through Hole | A9S18008.pdf | |
![]() | SN67013A2RHBH | SN67013A2RHBH TI QFN-32 | SN67013A2RHBH.pdf |