창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF2250N80Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCPF2250N80Z | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET® II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.25옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 260µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 585pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 21.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF2250N80Z | |
| 관련 링크 | FCPF225, FCPF2250N80Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CS493264CLZ | CS493264CLZ CIRRUS SMD or Through Hole | CS493264CLZ.pdf | |
![]() | MT5380GU0821-ATSL | MT5380GU0821-ATSL MSTAR TQFP | MT5380GU0821-ATSL.pdf | |
![]() | PSND200E/04 | PSND200E/04 POWERSEM SMD or Through Hole | PSND200E/04.pdf | |
![]() | CWR1037C-101N | CWR1037C-101N SAGAMI SMD | CWR1037C-101N.pdf | |
![]() | S-80821CLPF-B6GTFG | S-80821CLPF-B6GTFG SEIKO (SNT-4) | S-80821CLPF-B6GTFG.pdf | |
![]() | ADR5044BRTZ-REEEL7 | ADR5044BRTZ-REEEL7 AD SOT-23 | ADR5044BRTZ-REEEL7.pdf | |
![]() | 93439R95.040.0PF50VDC | 93439R95.040.0PF50VDC JOHANSON ORIGINAL | 93439R95.040.0PF50VDC.pdf | |
![]() | VL0J101MF8R | VL0J101MF8R NOVER SMD or Through Hole | VL0J101MF8R.pdf | |
![]() | 150HF120W | 150HF120W ORIGINAL SMD or Through Hole | 150HF120W.pdf | |
![]() | 933050152GTR0805A | 933050152GTR0805A RAMP SMD or Through Hole | 933050152GTR0805A.pdf | |
![]() | K6T1009C2E-GB70 | K6T1009C2E-GB70 SAMSUNG SOP | K6T1009C2E-GB70.pdf | |
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