창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF11N60T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP11N60, FCPF11N60 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF11N60T | |
| 관련 링크 | FCPF11, FCPF11N60T 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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| ABLNO-80.000MHZ | 80MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA | ABLNO-80.000MHZ.pdf | ||
| TE2000B1R0J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 2000W | TE2000B1R0J.pdf | ||
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![]() | TD87C51-2 | TD87C51-2 INTEL DIP | TD87C51-2.pdf | |
![]() | C17630 | C17630 AMI DIP | C17630.pdf | |
![]() | TA8874ZG | TA8874ZG TOSHIBA ZIP | TA8874ZG.pdf | |
![]() | M35010-011SP | M35010-011SP MIT DIP20 | M35010-011SP.pdf | |
![]() | YFD3216T-261 | YFD3216T-261 ORIGINAL SMD or Through Hole | YFD3216T-261.pdf | |
![]() | XC4010E-2PQG160C | XC4010E-2PQG160C XILINX QFP160 | XC4010E-2PQG160C.pdf | |
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