창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF067N65S3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCPF067N65S3 | |
| PCN 설계/사양 | FCB0 19/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET® III | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4.4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3090pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 46W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF067N65S3 | |
| 관련 링크 | FCPF067, FCPF067N65S3 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F271XXCST | 27.12MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271XXCST.pdf | |
| 4608X-104-332/472L | RES NETWORK 12 RES MULT OHM 8SIP | 4608X-104-332/472L.pdf | ||
![]() | TFSA1K50JE | RES 1.5K OHM 1/2W 5% AXIAL | TFSA1K50JE.pdf | |
![]() | G6AK-474P-ST20-US-12V | G6AK-474P-ST20-US-12V OMRON DIPSMD | G6AK-474P-ST20-US-12V.pdf | |
![]() | 602909 | 602909 MOTOROLA SMD or Through Hole | 602909.pdf | |
![]() | TG026 | TG026 ORIGINAL SMD or Through Hole | TG026.pdf | |
![]() | 68691-630 | 68691-630 FCIELECTRONICS ORIGINAL | 68691-630.pdf | |
![]() | JCC5066 | JCC5066 JVC SMD or Through Hole | JCC5066.pdf | |
![]() | LM2626T | LM2626T NS TO-220 5 | LM2626T.pdf | |
![]() | P091S-QC15BR50K | P091S-QC15BR50K BCK SMD or Through Hole | P091S-QC15BR50K.pdf | |
![]() | SID20FF01-17 | SID20FF01-17 INF SMD or Through Hole | SID20FF01-17.pdf |