창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCP850N80Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCP850N80Z Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics FRFET in Synchronous Rectification AN-9005 Application Note Power MOSFET Avalanche Guideline | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FCP850N80Z Material Declaration FCP850N80Z Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1315pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCP850N80Z | |
관련 링크 | FCP850, FCP850N80Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | T86D157K6R3ESAS | 150µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D157K6R3ESAS.pdf | |
![]() | AD7894AR-2 | AD7894AR-2 AD SOP-8 | AD7894AR-2.pdf | |
![]() | 4000LOYBQ0 | 4000LOYBQ0 INTEL BGA | 4000LOYBQ0.pdf | |
![]() | KTC2983 | KTC2983 KEC SMD or Through Hole | KTC2983.pdf | |
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![]() | NCP15XC470J0SRC | NCP15XC470J0SRC MURATA SMD or Through Hole | NCP15XC470J0SRC.pdf | |
![]() | SKN240/06UNF | SKN240/06UNF SEMIKRON SMD or Through Hole | SKN240/06UNF.pdf | |
![]() | ROP101117 | ROP101117 TI PLCC | ROP101117.pdf | |
![]() | 28.0483MHZ | 28.0483MHZ KDS SMD-DIP | 28.0483MHZ.pdf |