창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCP850N80Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCP850N80Z Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics FRFET in Synchronous Rectification AN-9005 Application Note Power MOSFET Avalanche Guideline | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FCP850N80Z Material Declaration FCP850N80Z Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1315pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCP850N80Z | |
관련 링크 | FCP850, FCP850N80Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | BFC237864304 | 0.3µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | BFC237864304.pdf | |
![]() | Y11699K09000T0L | RES SMD 9.09K OHM 0.6W 3017 | Y11699K09000T0L.pdf | |
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![]() | BLM21BD151SN1J | BLM21BD151SN1J muRata SMD or Through Hole | BLM21BD151SN1J.pdf | |
![]() | UPA1703G-E1 | UPA1703G-E1 NEC SOP8 | UPA1703G-E1.pdf | |
![]() | 1623442-1 | 1623442-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1623442-1.pdf | |
![]() | MCT0603-501%P53R6 | MCT0603-501%P53R6 BEYSCHLAG SMD or Through Hole | MCT0603-501%P53R6.pdf | |
![]() | E5503 | E5503 N/A QFN | E5503.pdf | |
![]() | SL205 | SL205 SAMSUNG IC | SL205.pdf | |
![]() | 1N4747A/20 | 1N4747A/20 ST SMD or Through Hole | 1N4747A/20.pdf | |
![]() | MN90890 | MN90890 o dip | MN90890.pdf |