창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCP7N60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP7N60, FCPF7N60(YDTU) TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FCP7N60_NL FCP7N60_NL-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCP7N60 | |
| 관련 링크 | FCP7, FCP7N60 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | TC35219AP | TC35219AP TOSHIBA DIP | TC35219AP.pdf | |
![]() | 4-1437514-3 | 4-1437514-3 TYCO SMD or Through Hole | 4-1437514-3.pdf | |
![]() | 100V220UF | 100V220UF ORIGINAL DIP | 100V220UF.pdf | |
![]() | CY3290-TMG200 | CY3290-TMG200 Cypress NA | CY3290-TMG200.pdf | |
![]() | B9465 | B9465 EPCOS SMD | B9465.pdf | |
![]() | ESJA59-10ATRE | ESJA59-10ATRE FUJI DIP | ESJA59-10ATRE.pdf | |
![]() | NCP3125CRAGEVB | NCP3125CRAGEVB ORIGINAL SMD or Through Hole | NCP3125CRAGEVB.pdf |