창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCP600N60Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCP600N60Z, FCPF600N60Z | |
주요제품 | SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs Cloud Systems Computing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1120pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCP600N60Z | |
관련 링크 | FCP600, FCP600N60Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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C901U709DYNDCAWL35 | 7pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U709DYNDCAWL35.pdf | ||
MCA12060D1780BP100 | RES SMD 178 OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D1780BP100.pdf | ||
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CRCW060339R0JNEB | RES SMD 39 OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060339R0JNEB.pdf | ||
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TO-263 | TO-263 NS SMD or Through Hole | TO-263.pdf | ||
102-1CH-VU03-12V | 102-1CH-VU03-12V ORIGINAL DIP | 102-1CH-VU03-12V.pdf | ||
HDSP-5521#S02 | HDSP-5521#S02 HP SMD or Through Hole | HDSP-5521#S02.pdf | ||
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NT3970B | NT3970B ORIGINAL QFN | NT3970B.pdf | ||
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