창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCP36N60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP36N60N | |
| PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SupreMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 112nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4785pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 312W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCP36N60N | |
| 관련 링크 | FCP36, FCP36N60N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | DC60S7-B | Solid State Relay SPST-NC (1 Form B) Hockey Puck | DC60S7-B.pdf | |
|  | MCR10ERTF1333 | RES SMD 133K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF1333.pdf | |
|  | ESR03EZPJ362 | RES SMD 3.6K OHM 5% 1/4W 0603 | ESR03EZPJ362.pdf | |
|  | M48T02-120PC6 | M48T02-120PC6 STM DIP | M48T02-120PC6.pdf | |
|  | TMDSDSK5509 | TMDSDSK5509 TexasInstruments SMD or Through Hole | TMDSDSK5509.pdf | |
|  | HSMS-C260 | HSMS-C260 Agilent SMD | HSMS-C260.pdf | |
|  | EP3SE80F1152C2N | EP3SE80F1152C2N ALTERA BGA | EP3SE80F1152C2N.pdf | |
|  | LM8262MM+ | LM8262MM+ NSC SMD or Through Hole | LM8262MM+.pdf | |
|  | XOMAP3517ZCN | XOMAP3517ZCN TI BGA | XOMAP3517ZCN.pdf | |
|  | PQB8MDT | PQB8MDT ORIGINAL TSSOP | PQB8MDT.pdf | |
|  | SRG-05VDC-SL-B | SRG-05VDC-SL-B SONGLE DIP | SRG-05VDC-SL-B.pdf | |
|  | CSTCW3386MX01-T(33.8688MHZ) | CSTCW3386MX01-T(33.8688MHZ) MURATA 2X2.5-3P | CSTCW3386MX01-T(33.8688MHZ).pdf |