창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCMT199N60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCMT199N60 | |
주요제품 | Cloud Systems Computing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerTSFN | |
공급 장치 패키지 | Power88 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FCMT199N60TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCMT199N60 | |
관련 링크 | FCMT19, FCMT199N60 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VS-15CTQ035STRRPBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V D2PAK | VS-15CTQ035STRRPBF.pdf | ||
RC0402FR-077M87L | RES SMD 7.87M OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-077M87L.pdf | ||
CMF50422R00FHEB | RES 422 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50422R00FHEB.pdf | ||
UPD800034F1-023-GA7 | UPD800034F1-023-GA7 NEC QFP | UPD800034F1-023-GA7.pdf | ||
DM87S195BN | DM87S195BN ORIGINAL DIP20 | DM87S195BN.pdf | ||
C/S=00B6DAEA | C/S=00B6DAEA E-PROG PLCC44 | C/S=00B6DAEA.pdf | ||
CFRA152-G | CFRA152-G Comchip SMA | CFRA152-G.pdf | ||
M48T11-MH6 | M48T11-MH6 ST SOP28 | M48T11-MH6.pdf | ||
UM1LD5W-K | UM1LD5W-K TAKAMISAWA SMD or Through Hole | UM1LD5W-K.pdf | ||
R27V3202F-5UTPZ021 | R27V3202F-5UTPZ021 OKI SOP | R27V3202F-5UTPZ021.pdf | ||
OEC7149B | OEC7149B ORION QFP | OEC7149B.pdf | ||
G96-109-A2 | G96-109-A2 NVIDIA BGA | G96-109-A2.pdf |