Fairchild Semiconductor FCH041N65F_F155

FCH041N65F_F155
제조업체 부품 번호
FCH041N65F_F155
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
데이터 시트 다운로드
다운로드
FCH041N65F_F155 가격 및 조달

가능 수량

8928 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 10,073.07100
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FCH041N65F_F155 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FCH041N65F_F155 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FCH041N65F_F155가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FCH041N65F_F155 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FCH041N65F_F155 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FCH041N65F_F155
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FCH041N65F_F155
PCN 조립/원산지Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열FRFET®, SuperFET® II
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C76A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs41m옴 @ 38A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 7.6mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs294nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds13020pF @ 100V
전력 - 최대595W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247
표준 포장 30
다른 이름FCH041N65FF155
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FCH041N65F_F155
관련 링크FCH041N65, FCH041N65F_F155 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FCH041N65F_F155 의 관련 제품
FUSE SQ 1.25KA 1KVAC RECTANGULAR LA100URD73TTI1250.pdf
RES CHAS MNT 0.33 OHM 10% 962W PFE5KR330.pdf
KA2220STL SAM SIP-9 KA2220STL.pdf
SDT7132SA35J SDT SMD or Through Hole SDT7132SA35J.pdf
1-437-737-21 TOKYO SMD or Through Hole 1-437-737-21.pdf
LED/AD16-30D/S φ30 ORIGINAL SMD or Through Hole LED/AD16-30D/S φ30.pdf
HSP48412 ORIGINAL PLCC68 HSP48412.pdf
SP4460DP GPS SMD or Through Hole SP4460DP.pdf
MM8050LT1G LRC SOT-23 MM8050LT1G.pdf
0527930572+ MOLEX SMD or Through Hole 0527930572+.pdf
TURTLE2.0 ORIGINAL SOP18 TURTLE2.0.pdf
LTC1322CSW. LT SOP-24P LTC1322CSW..pdf