창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCH041N60E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCH041N60E | |
주요제품 | SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs Cloud Systems Computing High-Voltage MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 39A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13700pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 592W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCH041N60E | |
관련 링크 | FCH041, FCH041N60E 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D0R7DLXAC | 0.70pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R7DLXAC.pdf | |
![]() | 402F3841XIAT | 38.4MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F3841XIAT.pdf | |
![]() | TNPW121090K9BETA | RES SMD 90.9K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121090K9BETA.pdf | |
![]() | PR01000102001JR500 | RES 2K OHM 1W 5% AXIAL | PR01000102001JR500.pdf | |
![]() | CMF60825R00FKEB | RES 825 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60825R00FKEB.pdf | |
![]() | 10-89-6044 | 10-89-6044 MOLEXINC MOL | 10-89-6044.pdf | |
![]() | IMSA-9631S-08Y909 | IMSA-9631S-08Y909 IRISO SMD | IMSA-9631S-08Y909.pdf | |
![]() | S0817M | S0817M ST TO-220 | S0817M.pdf | |
![]() | FRD100CA100/120 | FRD100CA100/120 EUPEC Module | FRD100CA100/120.pdf | |
![]() | HYB25DC256163CE-5 | HYB25DC256163CE-5 QIMONDA TSOP | HYB25DC256163CE-5.pdf | |
![]() | 1206B392K101CG | 1206B392K101CG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206B392K101CG.pdf |