창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCD7N60TM_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCD7N60, FCU7N60 | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FCD7N60TM_WS-ND FCD7N60TM_WSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCD7N60TM_WS | |
| 관련 링크 | FCD7N60, FCD7N60TM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 108R-683H | 68µH Unshielded Inductor 32mA 25 Ohm Max 2-SMD | 108R-683H.pdf | |
![]() | HF12-1A54-8 | RF Relay SPST-NO (1 Form A) Through Hole | HF12-1A54-8.pdf | |
![]() | TDH35PR500JE | RES SMD 0.5 OHM 5% 35W DPAK | TDH35PR500JE.pdf | |
![]() | RCL06125R90FKEA | RES SMD 5.9 OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL06125R90FKEA.pdf | |
![]() | R1180N141B-TR-F | R1180N141B-TR-F RICOH SOT23-5 | R1180N141B-TR-F.pdf | |
![]() | AR2315A | AR2315A ATHERO BGA | AR2315A.pdf | |
![]() | FKN1WSJB-52-33R | FKN1WSJB-52-33R YAGEO DIP | FKN1WSJB-52-33R.pdf | |
![]() | ADM805MARNZ | ADM805MARNZ AD SOP | ADM805MARNZ.pdf | |
![]() | J3026G21DNLT | J3026G21DNLT Pulse SMD or Through Hole | J3026G21DNLT.pdf | |
![]() | 2SK3348CNTL/CN | 2SK3348CNTL/CN RENESAS SMD or Through Hole | 2SK3348CNTL/CN.pdf | |
![]() | DTC143ZM P/b | DTC143ZM P/b ROHM TSFP-3 | DTC143ZM P/b.pdf |