창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCD600N60Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCD600N60Z | |
주요제품 | SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs Cloud Systems Computing High-Voltage MOSFETs | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1120pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FCD600N60ZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCD600N60Z | |
관련 링크 | FCD600, FCD600N60Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | PM1812-680J-RC | 68µH Unshielded Inductor 130mA 6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | PM1812-680J-RC.pdf | |
![]() | RT2010DKE0726R1L | RES SMD 26.1 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0726R1L.pdf | |
![]() | PAT0603E2942BST1 | RES SMD 29.4KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2942BST1.pdf | |
![]() | Y078950R0000Q0L | RES 50 OHM 0.3W 0.02% RADIAL | Y078950R0000Q0L.pdf | |
![]() | 28TB-0003 | 28TB-0003 Agilent BGA | 28TB-0003.pdf | |
![]() | W3A43C473K4T2A | W3A43C473K4T2A AVX smd | W3A43C473K4T2A.pdf | |
![]() | CY3295-MTK | CY3295-MTK CY SMD or Through Hole | CY3295-MTK.pdf | |
![]() | HA1621C | HA1621C HA SMD or Through Hole | HA1621C.pdf | |
![]() | BTB16-50MA | BTB16-50MA ON TO-220-3 | BTB16-50MA.pdf | |
![]() | EPCOS7640 | EPCOS7640 EPCOS QFN | EPCOS7640.pdf | |
![]() | MA19P0902R0B150M6402-903 | MA19P0902R0B150M6402-903 murata SMD or Through Hole | MA19P0902R0B150M6402-903.pdf |