창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCD5N60TM_WS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCxU5N60 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 2.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 54W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FCD5N60TM_WSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCD5N60TM_WS | |
관련 링크 | FCD5N60, FCD5N60TM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | IC-3005 | IC-3005 GTM DIP24 | IC-3005.pdf | |
![]() | HA1-4702-9 | HA1-4702-9 HAR CDIP | HA1-4702-9.pdf | |
![]() | MDT2030P | MDT2030P MDT DIP | MDT2030P.pdf | |
![]() | KT600-160B | KT600-160B KT SMD or Through Hole | KT600-160B.pdf | |
![]() | 2012DS08DB | 2012DS08DB SAMSUNG SMD or Through Hole | 2012DS08DB.pdf | |
![]() | 65001 | 65001 ORIGINAL SMD or Through Hole | 65001.pdf | |
![]() | TCOB1A336 | TCOB1A336 KOA SMD or Through Hole | TCOB1A336.pdf | |
![]() | N2962E | N2962E N/A ZIP-5 | N2962E.pdf | |
![]() | 604336-1 | 604336-1 TYCO con | 604336-1.pdf | |
![]() | 21742-10400800AALF | 21742-10400800AALF FCI SMD or Through Hole | 21742-10400800AALF.pdf | |
![]() | A7116E5VR-12B | A7116E5VR-12B IAT SOT23-5 | A7116E5VR-12B.pdf | |
![]() | SMM200VS122M30X35T2 | SMM200VS122M30X35T2 UMITEDCHEMI-CON DIP | SMM200VS122M30X35T2.pdf |