창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FCB290N80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FCB290N80 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | SuperFET® II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.7mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3205pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 212W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FCB290N80TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FCB290N80 | |
관련 링크 | FCB29, FCB290N80 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SMC3K64CAHM3/9A | TVS DIODE 64VWM 103VC DO-214AB | SMC3K64CAHM3/9A.pdf | |
![]() | 445I23E25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23E25M00000.pdf | |
![]() | KC2520B27.0000C1GE00 | 27MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5V, 3.3V 5mA Standby (Power Down) | KC2520B27.0000C1GE00.pdf | |
![]() | SIT1602BC-12-18S-54.000000E | OSC XO 1.8V 54MHZ ST | SIT1602BC-12-18S-54.000000E.pdf | |
![]() | UPR5/TR7 | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | UPR5/TR7.pdf | |
![]() | BZX585-B4V7,115 | DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD523 | BZX585-B4V7,115.pdf | |
![]() | RP73D2A787RBTDF | RES SMD 787 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A787RBTDF.pdf | |
![]() | M51496AP/P | M51496AP/P ORIGINAL DIP | M51496AP/P.pdf | |
![]() | IRFZ34N-Mexico | IRFZ34N-Mexico IR SMD or Through Hole | IRFZ34N-Mexico.pdf | |
![]() | SMBJ36CATR-13 | SMBJ36CATR-13 MICROSEMI DO-214AA | SMBJ36CATR-13.pdf | |
![]() | AT91SAM7SE32 AU | AT91SAM7SE32 AU ATMEGA QFP | AT91SAM7SE32 AU.pdf | |
![]() | SMA26CA | SMA26CA ctc-semicon SMA | SMA26CA.pdf |