창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCB20N60FTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCB20N60F | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FCB20N60FTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCB20N60FTM | |
| 관련 링크 | FCB20N, FCB20N60FTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 4310H-102-182LF | RES ARRAY 5 RES 1.8K OHM 10SIP | 4310H-102-182LF.pdf | |
![]() | CMF55390K00FKEA | RES 390K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55390K00FKEA.pdf | |
![]() | IRF820R | IRF820R HARRIS TO-220 | IRF820R.pdf | |
![]() | FT6112M | FT6112M ORIGINAL DIP | FT6112M.pdf | |
![]() | 74ACT7203L50RJ-7 | 74ACT7203L50RJ-7 TI SMD or Through Hole | 74ACT7203L50RJ-7.pdf | |
![]() | 4141503-E/SN | 4141503-E/SN MIC SOP-8 | 4141503-E/SN.pdf | |
![]() | M34282M2-0D6GP | M34282M2-0D6GP RENESAS SMD or Through Hole | M34282M2-0D6GP.pdf | |
![]() | MBCR 10K 443 | MBCR 10K 443 ORIGINAL SMD4 | MBCR 10K 443.pdf | |
![]() | 034691-0080 | 034691-0080 AB SMD or Through Hole | 034691-0080.pdf | |
![]() | PIC16C717-1/SS | PIC16C717-1/SS MICROCHI SSOP | PIC16C717-1/SS.pdf | |
![]() | 2TPLF330M4E | 2TPLF330M4E SANYO 330UF2V | 2TPLF330M4E.pdf |