창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-F640N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | F640N | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TO-220 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | F640N | |
관련 링크 | F64, F640N 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | ASDMB-100.000MHZ-XY-T | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-100.000MHZ-XY-T.pdf | |
![]() | SAK-XC866-1FRI AB | SAK-XC866-1FRI AB InfineonTechnologies SMD or Through Hole | SAK-XC866-1FRI AB.pdf | |
![]() | BAT54S-T(MCC) | BAT54S-T(MCC) MCC SMD or Through Hole | BAT54S-T(MCC).pdf | |
![]() | QMV253AF5 | QMV253AF5 NQRTEL QFP | QMV253AF5.pdf | |
![]() | 32D38 | 32D38 MOT QFP | 32D38.pdf | |
![]() | HY62WT08081EDG55C | HY62WT08081EDG55C HY SMD | HY62WT08081EDG55C.pdf | |
![]() | 293D477X56R3E2WE3 | 293D477X56R3E2WE3 Vishay SMD | 293D477X56R3E2WE3.pdf | |
![]() | 1005GC2J1N0SLF | 1005GC2J1N0SLF ORIGINAL SMD or Through Hole | 1005GC2J1N0SLF.pdf | |
![]() | NJX3561-TE1 | NJX3561-TE1 JRC SOD-323 | NJX3561-TE1.pdf | |
![]() | FLL21E135IX | FLL21E135IX FUJITSU SMD or Through Hole | FLL21E135IX.pdf | |
![]() | TDA9381PS/N3/2/197 | TDA9381PS/N3/2/197 PHI DIP64 | TDA9381PS/N3/2/197.pdf |