- F2100BTE10
F2100BTE10 가격 및 조달
가능 수량
96380 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 F2100BTE10 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. F2100BTE10 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. F2100BTE10가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- F2100BTE10 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
F2100BTE10 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-F2100BTE10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | F2100BTE10 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | F2100BTE10 | |
| 관련 링크 | F2100B, F2100BTE10 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
F2100BTE10 의 관련 제품
 | MAL210657104E3 | 100000µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 8 mOhm @ 100Hz 20000 Hrs @ 85°C | MAL210657104E3.pdf | |
 | SZ1SMB54CAT3G | TVS DIODE 54VWM 87.1VC SMB | SZ1SMB54CAT3G.pdf | |
 | 445W31B13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 13pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31B13M00000.pdf | |
| MLG0402P2N7BT000 | 2.7nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P2N7BT000.pdf | |
.jpg) | RT0402DRD0749K9L | RES SMD 49.9KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD0749K9L.pdf | |
| MRS25000C3900FRP00 | RES 390 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C3900FRP00.pdf | |
| J7397-0A00 | J7397-0A00 NEC DIP | J7397-0A00.pdf | |
| MOC2012 | MOC2012 FATRCHILD DIP-6 | MOC2012.pdf | |
| M-160 | M-160 EPSON N A | M-160.pdf | |
| N80C251TB16 | N80C251TB16 INTEL PLCC | N80C251TB16.pdf | |
| CD4022BMJ-MIL | CD4022BMJ-MIL NSC CDIP | CD4022BMJ-MIL.pdf | |
| CL791S | CL791S CORELOGTC BGA | CL791S.pdf |