창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EVM3ESX50B22 200R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EVM3ESX50B22 200R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EVM3ESX50B22 200R | |
| 관련 링크 | EVM3ESX50B2, EVM3ESX50B22 200R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | T520V226M020AHE040 | 22µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 40 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T520V226M020AHE040.pdf | |
![]() | VS-30CTQ040-N3 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB | VS-30CTQ040-N3.pdf | |
![]() | 1008-390J | 39nH Unshielded Inductor 1.053A 110 mOhm Max 2-SMD | 1008-390J.pdf | |
![]() | RNF14FAD432K-1K | RES 432K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD432K-1K.pdf | |
![]() | RBD-6V221MG3 | RBD-6V221MG3 ELNA DIP | RBD-6V221MG3.pdf | |
![]() | K4B1G0846S-HQH9 | K4B1G0846S-HQH9 SAMSUNG BGA | K4B1G0846S-HQH9.pdf | |
![]() | KC30E1E684M-TS | KC30E1E684M-TS MARUWA SMD | KC30E1E684M-TS.pdf | |
![]() | 53MT160KPBF | 53MT160KPBF IR SMD or Through Hole | 53MT160KPBF.pdf | |
![]() | 201N | 201N ORIGINAL DIP-SOP | 201N.pdf | |
![]() | 66.82.9012 | 66.82.9012 FINDER DIP-SOP | 66.82.9012.pdf | |
![]() | FI510 | FI510 IR TO-220F | FI510.pdf | |
![]() | MXG50W | MXG50W MXG SMD or Through Hole | MXG50W.pdf |