창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-EVM2TSX80BQ5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | EVM2TSX80BQ5 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | 2x2 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | EVM2TSX80BQ5 | |
관련 링크 | EVM2TSX, EVM2TSX80BQ5 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | BFC238332123 | 0.012µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC238332123.pdf | |
![]() | ASTMUPCFL-33-156.250MHZ-LY-E-T | 156.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCFL-33-156.250MHZ-LY-E-T.pdf | |
![]() | LBC2518T331M | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 65mA 12.3 Ohm 1007 (2518 Metric) | LBC2518T331M.pdf | |
![]() | RW2S0CBR010JET | RES SMD 0.01 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0CBR010JET.pdf | |
![]() | BZX585-C11,115 | BZX585-C11,115 NXP SOD523 | BZX585-C11,115.pdf | |
![]() | K7D163674B-HC37 | K7D163674B-HC37 SAMSUNG BGA | K7D163674B-HC37.pdf | |
![]() | R76TI1910JE30X | R76TI1910JE30X KEMET SMD or Through Hole | R76TI1910JE30X.pdf | |
![]() | LP0001(SO16-3.9mm) | LP0001(SO16-3.9mm) LP DIP16(SOP16) | LP0001(SO16-3.9mm).pdf | |
![]() | 12147424 | 12147424 DELPPHI SMD or Through Hole | 12147424.pdf | |
![]() | LM262P | LM262P NS MSOP-8 | LM262P.pdf | |
![]() | AN41215A | AN41215A PAN HTSSOP | AN41215A.pdf |