창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESR25JZPF3300 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ESR Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Anti-Surge ESR Series Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | ESR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 330 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 펄스 응력 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1210 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ESR25JZPF3300 | |
| 관련 링크 | ESR25JZ, ESR25JZPF3300 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FCN1206A222J-H2 | 2200pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1206 (3216 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | FCN1206A222J-H2.pdf | |
![]() | CDV30EJ270GO3F | MICA | CDV30EJ270GO3F.pdf | |
![]() | RMCF1206FT3M90 | RES SMD 3.9M OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT3M90.pdf | |
![]() | RT1206CRC0723R7L | RES SMD 23.7 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC0723R7L.pdf | |
![]() | GM71C4100BJ-70 | GM71C4100BJ-70 HYNIX SMD or Through Hole | GM71C4100BJ-70.pdf | |
![]() | AT27C512R-70JI/ATMEL | AT27C512R-70JI/ATMEL ORIGINAL SMD or Through Hole | AT27C512R-70JI/ATMEL.pdf | |
![]() | STK4140MK2 | STK4140MK2 SANYO HYB-19 | STK4140MK2.pdf | |
![]() | GB200-10P-TS | GB200-10P-TS LG SMD or Through Hole | GB200-10P-TS.pdf | |
![]() | TPPM0101PWP | TPPM0101PWP ORIGINAL SMD or Through Hole | TPPM0101PWP.pdf | |
![]() | TN0200TS-T1 | TN0200TS-T1 VISHAY SOT23 | TN0200TS-T1.pdf | |
![]() | ESH685M350AH4AA | ESH685M350AH4AA ARCOTRNI DIP-2 | ESH685M350AH4AA.pdf | |
![]() | S-1170B32UC-OTRTFG | S-1170B32UC-OTRTFG SEIKO SOT-89-5 | S-1170B32UC-OTRTFG.pdf |