창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESME100ELL470ME11D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ESME100ELL470ME11D | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ESME100ELL470ME11D | |
| 관련 링크 | ESME100ELL, ESME100ELL470ME11D 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237111154 | 0.15µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | BFC237111154.pdf | |
![]() | B82422A1683J100 | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 80mA 7.7 Ohm Max 2-SMD | B82422A1683J100.pdf | |
![]() | 768141203GP | RES ARRAY 13 RES 20K OHM 14SOIC | 768141203GP.pdf | |
![]() | AZ23C5V1-GS08 | AZ23C5V1-GS08 ORIGINAL SMD or Through Hole | AZ23C5V1-GS08.pdf | |
![]() | K4M28323LH-HN60 | K4M28323LH-HN60 SAMSUNG BGA | K4M28323LH-HN60.pdf | |
![]() | I3800FYI | I3800FYI NUVOTON SMD or Through Hole | I3800FYI.pdf | |
![]() | M3Z9V1T1G | M3Z9V1T1G ON/LRC SOD-323 | M3Z9V1T1G.pdf | |
![]() | 1SV322(TPH3,F) | 1SV322(TPH3,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SV322(TPH3,F).pdf | |
![]() | 201R18N470GV | 201R18N470GV JOHANSON SMD or Through Hole | 201R18N470GV.pdf | |
![]() | MC3307ADR2 | MC3307ADR2 ON SMD or Through Hole | MC3307ADR2.pdf | |
![]() | K9F1G08U0CPCB0 | K9F1G08U0CPCB0 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1G08U0CPCB0.pdf | |
![]() | 36DY224F010BL2A | 36DY224F010BL2A VISHAY DIP | 36DY224F010BL2A.pdf |