창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESM3030DV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ESM3030DV | |
| 기타 관련 문서 | ESM3030DV View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 300V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 2.4A, 85A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 300 @ 85A, 5V | |
| 전력 - 최대 | 225W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 497-6691-5 ESM3030DV-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ESM3030DV | |
| 관련 링크 | ESM30, ESM3030DV 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B41693A9227Q9 | 220µF 100V Aluminum Capacitors Axial, Can 350 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 125°C | B41693A9227Q9.pdf | |
![]() | APT2012SF4C-PRV | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.3V 50mA 0.8mW/sr @ 20mA 120° 0805 (2012 Metric) | APT2012SF4C-PRV.pdf | |
![]() | ERJ-S12F2210U | RES SMD 221 OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F2210U.pdf | |
![]() | IPP50R520 | IPP50R520 INFINEON TO-220 | IPP50R520.pdf | |
![]() | CGE24143-4548 | CGE24143-4548 NA NULL | CGE24143-4548.pdf | |
![]() | 7005-6P4C-F1 | 7005-6P4C-F1 NeltronIndustrial SMD or Through Hole | 7005-6P4C-F1.pdf | |
![]() | RLZ TE-11 6.8C | RLZ TE-11 6.8C ROHM LL-34 | RLZ TE-11 6.8C.pdf | |
![]() | BBI | BBI TI MSOP10 | BBI.pdf | |
![]() | AEM8824AEEYZ | AEM8824AEEYZ AME SOT-23 | AEM8824AEEYZ.pdf | |
![]() | R5F21321DNSP#U0 | R5F21321DNSP#U0 Renesas SMD or Through Hole | R5F21321DNSP#U0.pdf | |
![]() | BCM5751TKFBG P14 | BCM5751TKFBG P14 BROADCOM SMD or Through Hole | BCM5751TKFBG P14.pdf | |
![]() | SG275 | SG275 KODENSHI 5mm | SG275.pdf |