창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESI7SGR174G04T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ESI7SGR174G04T | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ESI7SGR174G04T | |
| 관련 링크 | ESI7SGR1, ESI7SGR174G04T 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | 0679L9100-05 | FUSE BRD MNT 10A 125VAC/VDC | 0679L9100-05.pdf | |
![]() | IMC1210ERR82M | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 670 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ERR82M.pdf | |
![]() | HM17-654220LF | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 180 mOhm Max Radial | HM17-654220LF.pdf | |
![]() | CMF5530R900DHEB | RES 30.9 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5530R900DHEB.pdf | |
![]() | S6D0154X11-B0C8 | S6D0154X11-B0C8 SAMSUNG QFN | S6D0154X11-B0C8.pdf | |
![]() | FA1L4L-T1B | FA1L4L-T1B NEC SOT23 | FA1L4L-T1B.pdf | |
![]() | HLMP1790D4A0 | HLMP1790D4A0 ORIGINAL SMD or Through Hole | HLMP1790D4A0.pdf | |
![]() | C1812X222K302T | C1812X222K302T HEC SMD or Through Hole | C1812X222K302T.pdf | |
![]() | G3N-220B (AC250V20A DC4-30V) | G3N-220B (AC250V20A DC4-30V) ORIGINAL NA | G3N-220B (AC250V20A DC4-30V).pdf | |
![]() | 01J8002JR | 01J8002JR ORIGINAL SMD or Through Hole | 01J8002JR.pdf | |
![]() | ADUM1100 | ADUM1100 ORIGINAL SMD or Through Hole | ADUM1100.pdf |