창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ESD8351P2T5G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ESD8351, SZESD8351 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 3.3V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 11.2V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 5A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 0.37pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-923 | |
공급 장치 패키지 | SOD-923 | |
표준 포장 | 8,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ESD8351P2T5G | |
관련 링크 | ESD8351, ESD8351P2T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GRM152D70G224ME15D | 0.22µF 4V 세라믹 커패시터 X7T 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM152D70G224ME15D.pdf | |
![]() | B37949K5152J062 | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | B37949K5152J062.pdf | |
![]() | 520R15CT40M0000 | 40MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3V 2.5mA | 520R15CT40M0000.pdf | |
![]() | RNF14FAD3M09 | RES 3.09M OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD3M09.pdf | |
![]() | SQZW103R9J | RES 3.9 OHM 10W 5% RADIAL | SQZW103R9J.pdf | |
![]() | JC5333 | JC5333 JICHI SMD or Through Hole | JC5333.pdf | |
![]() | TEF6903H | TEF6903H NXP QFP80 | TEF6903H.pdf | |
![]() | POZ3AN-1-204N-TOO 3X3 200K | POZ3AN-1-204N-TOO 3X3 200K MURATA SMD or Through Hole | POZ3AN-1-204N-TOO 3X3 200K.pdf | |
![]() | TL711 | TL711 TI SOP-8 | TL711.pdf | |
![]() | 2SB647CTZ-E | 2SB647CTZ-E RENESAS SMD or Through Hole | 2SB647CTZ-E.pdf | |
![]() | TMHB | TMHB TIMAR SMD or Through Hole | TMHB.pdf | |
![]() | AM29LV400BB-90SE | AM29LV400BB-90SE AMD SOP | AM29LV400BB-90SE.pdf |