창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESB0111000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ESB0111000 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ESB0111000 | |
| 관련 링크 | ESB011, ESB0111000 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206Y472MXGAT5Z | 4700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y472MXGAT5Z.pdf | |
![]() | 445W3XJ20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XJ20M00000.pdf | |
![]() | P1812-122K | 1.2µH Unshielded Inductor 1A 199 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | P1812-122K.pdf | |
![]() | 68V | 68V TC DO-35 | 68V.pdf | |
![]() | 2SC3225(TPE6,C | 2SC3225(TPE6,C Toshiba NPN4 | 2SC3225(TPE6,C.pdf | |
![]() | SI7686ADP-T1-E3 | SI7686ADP-T1-E3 VISHAY QFN8 | SI7686ADP-T1-E3.pdf | |
![]() | AP20G45GEM | AP20G45GEM APEC SO-8(M) | AP20G45GEM.pdf | |
![]() | C3-1R0K-TR | C3-1R0K-TR ACT SMD or Through Hole | C3-1R0K-TR.pdf | |
![]() | SE431/0.4%/SE431D | SE431/0.4%/SE431D CHINA SMD or Through Hole | SE431/0.4%/SE431D.pdf | |
![]() | B72500T60M60CT0603 | B72500T60M60CT0603 EPCOS ROHS | B72500T60M60CT0603.pdf | |
![]() | SLA4502M | SLA4502M SANKEN ZIP | SLA4502M.pdf |