창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-ESAD25C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | ESAD25C | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | ESAD25C | |
관련 링크 | ESAD, ESAD25C 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
VJ0805D621MLXAT | 620pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D621MLXAT.pdf | ||
ECJ-2FB1E154K | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2FB1E154K.pdf | ||
1003R1C5.5X | FUSE CRTRDGE 100A 5.5KVAC NONSTD | 1003R1C5.5X.pdf | ||
416F30022IKR | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30022IKR.pdf | ||
AIUR-11-271K | 270µH Unshielded Wirewound Inductor 620mA 500 mOhm Max Radial | AIUR-11-271K.pdf | ||
LTE4267G | LTE4267G INFINEON TO-263 | LTE4267G.pdf | ||
1PS88SB82,165 | 1PS88SB82,165 NXP SOT363 | 1PS88SB82,165.pdf | ||
UM1005W4 | UM1005W4 UMEC SMD or Through Hole | UM1005W4.pdf | ||
HY64VD1616BD70E | HY64VD1616BD70E HY QFN | HY64VD1616BD70E.pdf | ||
BSM15GD120DLCE3224 | BSM15GD120DLCE3224 EUPEC SMD or Through Hole | BSM15GD120DLCE3224.pdf | ||
SCD0705T-6R8M-N | SCD0705T-6R8M-N CHILISIN SMD or Through Hole | SCD0705T-6R8M-N.pdf | ||
HYS64V8300GU-8-C | HYS64V8300GU-8-C InfineonTechnologies Tray | HYS64V8300GU-8-C.pdf |