창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ES6U41T2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ES6U41 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-WEMT | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ES6U41T2R | |
| 관련 링크 | ES6U4, ES6U41T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | NLCV25T-3R3M-PFRD | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 570mA 528 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | NLCV25T-3R3M-PFRD.pdf | |
![]() | MP930-0.15-1% | RES 0.15 OHM 30W 1% TO220 | MP930-0.15-1%.pdf | |
![]() | MM5Z51VB | MM5Z51VB TCKELCJTCON SOD-523 | MM5Z51VB.pdf | |
![]() | RFS1317-104KL | RFS1317-104KL TDK DIP | RFS1317-104KL.pdf | |
![]() | NTD3055L104-001 | NTD3055L104-001 ON TO-252 | NTD3055L104-001.pdf | |
![]() | TMS320D70YE101BRTP | TMS320D70YE101BRTP TI TQFP | TMS320D70YE101BRTP.pdf | |
![]() | CS1608X7R563K160NR | CS1608X7R563K160NR ORIGINAL SMD or Through Hole | CS1608X7R563K160NR.pdf | |
![]() | MBRS220T2 | MBRS220T2 ON DO214AA | MBRS220T2.pdf | |
![]() | DF2L357V18046 | DF2L357V18046 SAMW DIP2 | DF2L357V18046.pdf | |
![]() | NJM2651AF1 | NJM2651AF1 JRC SOP-8 | NJM2651AF1.pdf | |
![]() | M37210M4-783SP | M37210M4-783SP MTTSUBIS DIP | M37210M4-783SP.pdf | |
![]() | C372-7H | C372-7H ORIGINAL TO-220 | C372-7H.pdf |