Rohm Semiconductor ES6U3T2CR

ES6U3T2CR
제조업체 부품 번호
ES6U3T2CR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
ES6U3T2CR 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 200.15424
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 ES6U3T2CR 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. ES6U3T2CR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. ES6U3T2CR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
ES6U3T2CR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
ES6U3T2CR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-ES6U3T2CR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ES6U3T
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징다이오드(절연), 논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs240m옴 @ 1.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.4nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds70pF @ 10V
전력 - 최대700mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지6-WEMT
표준 포장 8,000
다른 이름ES6U3T2CRTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ES6U3T2CR
관련 링크ES6U3, ES6U3T2CR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
ES6U3T2CR 의 관련 제품
3MHz ~ 75MHz CMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 8mA Standby AP2S2ER.pdf
1µH Unshielded Inductor 23A 2.4 mOhm Max Radial PG0200.102NL.pdf
RES SMD 5.1 OHM 5% 1/5W 0603 CRGH0603J5R1.pdf
RES SMD 430K OHM 0.1% 1/8W 0805 AT0805BRE07430KL.pdf
ELJRF56NJFB PANASONIC SMD or Through Hole ELJRF56NJFB.pdf
STP6NB80 ST SMD or Through Hole STP6NB80.pdf
U2830B TFK DIP U2830B.pdf
XP161A02A1PRN TOREX SOT-89 XP161A02A1PRN.pdf
221-425 D/C DIP 221-425.pdf
PPL05381A2D0 ORIGINAL SMD or Through Hole PPL05381A2D0.pdf
AD9809XR AD SMD or Through Hole AD9809XR.pdf
D535 NEC TO-3 D535.pdf