홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » ES6U2T2R

Rohm Semiconductor ES6U2T2R

ES6U2T2R
제조업체 부품 번호
ES6U2T2R
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
ES6U2T2R 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 114.90338
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 ES6U2T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. ES6U2T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. ES6U2T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
ES6U2T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
ES6U2T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-ES6U2T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ES6U2
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징다이오드(절연), 논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs180m옴 @ 1.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.8nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds110pF @ 10V
전력 - 최대700mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지6-WEMT
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ES6U2T2R
관련 링크ES6U, ES6U2T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
ES6U2T2R 의 관련 제품
RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU BU1010-M3/51.pdf
RES SMD 464 OHM 0.05% 1/4W 1210 RT1210WRB07464RL.pdf
NTC Thermistor TO-51-2 Variant TS3-65B3.pdf
L2A1649 LSI BGA L2A1649.pdf
FAR46NG012-P FUJITSU SMD or Through Hole FAR46NG012-P.pdf
MT47H128M16RT25E:C-MICRON ORIGINAL SMD or Through Hole MT47H128M16RT25E:C-MICRON.pdf
CDRH124NP-100M SUMIDA SMD or Through Hole CDRH124NP-100M.pdf
LT05-R39K-RC ALLIED NA LT05-R39K-RC.pdf
KSR252GLFS C&K SMD KSR252GLFS.pdf
PM5370-FGI PMC BGA PM5370-FGI.pdf
PPD3-48-1212 LAMBDA SMD or Through Hole PPD3-48-1212.pdf
MHL19936b MOTO SMD or Through Hole MHL19936b.pdf