창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ES3GHE3_A/H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ES3F & ES3G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 400V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 850 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ES3GHE3_A/H | |
| 관련 링크 | ES3GHE, ES3GHE3_A/H 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| UVY2A471MHD1TN | 470µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVY2A471MHD1TN.pdf | ||
![]() | VJ0805D1R5CLBAJ | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R5CLBAJ.pdf | |
![]() | FA-238V 14.31818MB-K3 | 14.31818MHz ±50ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 14.31818MB-K3.pdf | |
![]() | MMBT2222AT-7 | TRANS NPN 40V 0.6A SOT-523 | MMBT2222AT-7.pdf | |
![]() | MRS25000C3241FRP00 | RES 3.24K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C3241FRP00.pdf | |
![]() | CMF651K0000BHBF | RES 1K OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF651K0000BHBF.pdf | |
![]() | LR5050 | LR5050 ORIGINAL SMD or Through Hole | LR5050.pdf | |
![]() | C2012JB1E333MT | C2012JB1E333MT TDK SMD or Through Hole | C2012JB1E333MT.pdf | |
![]() | ENGR-7782 | ENGR-7782 AVAGO QFN | ENGR-7782.pdf | |
![]() | ADM2203EARU | ADM2203EARU AD TSSOP-38 | ADM2203EARU.pdf | |
![]() | LA7016(=GL3816) | LA7016(=GL3816) LGS IC | LA7016(=GL3816).pdf | |
![]() | GOB3D3C-II | GOB3D3C-II CHA DIP | GOB3D3C-II.pdf |