창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ES3D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ES3A - ES3J DO214AB Pkg Drawing | |
PCN 조립/원산지 | Additional Manufacturing Source 01/Oct/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1606 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 950mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 20ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 200V | |
정전 용량 @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
공급 장치 패키지 | SMC(DO-214AB) | |
작동 온도 - 접합 | -50°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ES3DFSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ES3D | |
관련 링크 | ES, ES3D 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CGA3E3X8R1H104K080AD | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X8R1H104K080AD.pdf | ||
VS-20MQ040HM3/5AT | DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC | VS-20MQ040HM3/5AT.pdf | ||
CRCW12182R15FNEK | RES SMD 2.15 OHM 1% 1W 1218 | CRCW12182R15FNEK.pdf | ||
TNPU120633K2AZEN00 | RES SMD 33.2KOHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120633K2AZEN00.pdf | ||
24L256I/SM | 24L256I/SM ORIGINAL SOP | 24L256I/SM.pdf | ||
4114R-001-124 | 4114R-001-124 DALE DIP-14 | 4114R-001-124.pdf | ||
RF0402-432R | RF0402-432R Uniohm SMD or Through Hole | RF0402-432R.pdf | ||
UGFZ15A | UGFZ15A FCI SMA DO-214AC | UGFZ15A.pdf | ||
IRCFL | IRCFL IR SMD-8 | IRCFL.pdf | ||
MAX514ESA | MAX514ESA MAX SOP8 | MAX514ESA.pdf | ||
R3085 | R3085 ERICSSON BGA | R3085.pdf | ||
TCSCS1A157MDAR | TCSCS1A157MDAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCS1A157MDAR.pdf |