창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ES2D-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ES2A/A - ES2D/A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMB | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | ES2DDITR ES2DTR ES2DTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ES2D-13 | |
| 관련 링크 | ES2D, ES2D-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | 1808JA330MAT1A | 33pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808JA330MAT1A.pdf | |
![]() | C1210C562F5GACTU | 5600pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C562F5GACTU.pdf | |
![]() | RG1005P-1432-D-T10 | RES SMD 14.3KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-1432-D-T10.pdf | |
![]() | 1342A-050 | 1342A-050 ANAM SOP | 1342A-050.pdf | |
![]() | TW5N800CT | TW5N800CT EUPEC STUD | TW5N800CT.pdf | |
![]() | TDA3606ATN1 | TDA3606ATN1 PHILIPS ORIGINAL | TDA3606ATN1.pdf | |
![]() | LM341T-12(PRFMD) | LM341T-12(PRFMD) NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | LM341T-12(PRFMD).pdf | |
![]() | ICT18CV8PE9F53-B | ICT18CV8PE9F53-B ICT DIP20 | ICT18CV8PE9F53-B.pdf | |
![]() | LPHE-50S-E-034-L-D01 | LPHE-50S-E-034-L-D01 PLASTRON SMD or Through Hole | LPHE-50S-E-034-L-D01.pdf | |
![]() | PHY6353 | PHY6353 ORIGINAL SOT163 | PHY6353.pdf | |
![]() | MB84VD21183EM-70 | MB84VD21183EM-70 FUJITSU BGA | MB84VD21183EM-70.pdf |