창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ES1B-E3/5AT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ES1A thru ES1D | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 25ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMA) | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 7,500 | |
다른 이름 | ES1B-E3/5AT-ND ES1B-E3/5ATGITR ES1BE35AT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ES1B-E3/5AT | |
관련 링크 | ES1B-E, ES1B-E3/5AT 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | PM0805-3N3M-RC | 3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 80 mOhm 0805 (2012 Metric) | PM0805-3N3M-RC.pdf | |
![]() | FR310 | FR310 IR TO252 | FR310.pdf | |
![]() | AFZR72YM38A1 | AFZR72YM38A1 MURATA SMD or Through Hole | AFZR72YM38A1.pdf | |
![]() | UPD78C14CW-M69 | UPD78C14CW-M69 NEC DIP64 | UPD78C14CW-M69.pdf | |
![]() | LTC1949EMS8 | LTC1949EMS8 LINEAR MSOP8 | LTC1949EMS8.pdf | |
![]() | SS1A05000 | SS1A05000 KUAN SIP-4 | SS1A05000.pdf | |
![]() | 2106D | 2106D N/A TSSOP-10 | 2106D.pdf | |
![]() | NAP66E | NAP66E NEMOTO SMD or Through Hole | NAP66E.pdf | |
![]() | AT820 | AT820 AT SOP8 | AT820.pdf | |
![]() | SQV453226T-150K | SQV453226T-150K CHILISIN SMD or Through Hole | SQV453226T-150K.pdf | |
![]() | HV-10S-86MJ(P) | HV-10S-86MJ(P) FU-FUTABA SMD or Through Hole | HV-10S-86MJ(P).pdf |