창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-VS34C431 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZVSyyyyyy View All Specifications | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 387V | |
배리스터 전압(통상) | 430V | |
배리스터 전압(최대) | 473V | |
전류 - 서지 | 40kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 275VAC | |
최대 DC 전압 | 350VDC | |
에너지 | - | |
패키지/케이스 | 정사각 36mm, 성형 탭 | |
실장 유형 | 나사 장착 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | ERZVS34C621 P14956 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-VS34C431 | |
관련 링크 | ERZ-VS3, ERZ-VS34C431 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | J112_D74Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | J112_D74Z.pdf | |
![]() | ISC1812BNR68K | 680nH Shielded Wirewound Inductor 296mA 800 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812BNR68K.pdf | |
![]() | RT2010DKE075K62L | RES SMD 5.62K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE075K62L.pdf | |
![]() | TMS0130NC | TMS0130NC TI DIP28 | TMS0130NC.pdf | |
![]() | L10004PCM | L10004PCM TIS Call | L10004PCM.pdf | |
![]() | TA160-182-50-10 | TA160-182-50-10 TRANSCOM SMD or Through Hole | TA160-182-50-10.pdf | |
![]() | DAM3MA36 | DAM3MA36 HITACHI SMD | DAM3MA36.pdf | |
![]() | 29FCT52ATP | 29FCT52ATP Q DIP24 | 29FCT52ATP.pdf | |
![]() | 1SS344(TE85R) | 1SS344(TE85R) TOSHIBA SOT23 | 1SS344(TE85R).pdf | |
![]() | IDT71V416L15YG | IDT71V416L15YG IDT SMD or Through Hole | IDT71V416L15YG.pdf | |
![]() | KPK-3020QBC-C | KPK-3020QBC-C ORIGINAL SMD | KPK-3020QBC-C.pdf |