창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V20R221 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
| 카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | ZNR® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 198V | |
| 배리스터 전압(통상) | 220V | |
| 배리스터 전압(최대) | 242V | |
| 전류 - 서지 | 10kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 140VAC | |
| 최대 DC 전압 | 180VDC | |
| 에너지 | 155J | |
| 패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | ERZV20R221 P7323 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERZ-V20R221 | |
| 관련 링크 | ERZ-V2, ERZ-V20R221 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | T491D686K006AS | 68µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T491D686K006AS.pdf | |
![]() | 2150-14G | 3.9µH Unshielded Molded Inductor 505mA 1.2 Ohm Max Axial | 2150-14G.pdf | |
![]() | 3P1819NS | 3P1819NS ORIGINAL SOP-8 | 3P1819NS.pdf | |
![]() | SS1M | SS1M EIC DO-214AC | SS1M.pdf | |
![]() | EE | EE ST SMB | EE.pdf | |
![]() | AB26TRB-125.000KHZ-TR | AB26TRB-125.000KHZ-TR abracon SMD or Through Hole | AB26TRB-125.000KHZ-TR.pdf | |
![]() | M5289 | M5289 MITSUBIS DIP | M5289.pdf | |
![]() | S3C3400X01 | S3C3400X01 SAMSUNG QFP | S3C3400X01.pdf | |
![]() | 0201-22.1R | 0201-22.1R YOGEO// SMD or Through Hole | 0201-22.1R.pdf | |
![]() | ROP 1015006 RIA | ROP 1015006 RIA N/A BGA | ROP 1015006 RIA.pdf | |
![]() | 594D155X0050C2T | 594D155X0050C2T VISHAY/SPRAGUE D | 594D155X0050C2T.pdf |