창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V20R201 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
| 카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | ZNR® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 185V | |
| 배리스터 전압(통상) | 200V | |
| 배리스터 전압(최대) | 225V | |
| 전류 - 서지 | 10kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 130VAC | |
| 최대 DC 전압 | 170VDC | |
| 에너지 | 140J | |
| 패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | ERZV20R201 P7322 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERZ-V20R201 | |
| 관련 링크 | ERZ-V2, ERZ-V20R201 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-120-CD-0330-TR | 12MHz 수정 9pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-120-CD-0330-TR.pdf | |
![]() | SIT8008ACT7-33E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008ACT7-33E.pdf | |
![]() | 1N755ATR | 1N755ATR FSC DO-35 | 1N755ATR.pdf | |
![]() | 2SH30 | 2SH30 HITACHI TO-3P | 2SH30.pdf | |
![]() | SS-12D06 | SS-12D06 DSL SMD or Through Hole | SS-12D06.pdf | |
![]() | M37760M8A-126GP | M37760M8A-126GP MIT QFP100 | M37760M8A-126GP.pdf | |
![]() | NLUG1608T-4N7 | NLUG1608T-4N7 TDK SMD or Through Hole | NLUG1608T-4N7.pdf | |
![]() | TC55257BFLI-10 | TC55257BFLI-10 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC55257BFLI-10.pdf | |
![]() | ROD-63V220M | ROD-63V220M ELNA DIP | ROD-63V220M.pdf | |
![]() | CDRH5D28NP-3R3MC | CDRH5D28NP-3R3MC SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH5D28NP-3R3MC.pdf | |
![]() | S982T-GS08 | S982T-GS08 VISHAY 1999 | S982T-GS08.pdf | |
![]() | 4CE100BES | 4CE100BES SANYO SMD or Through Hole | 4CE100BES.pdf |